חברה Samsung אלקטרוניקה הודיעה על תחילת ייצור המוני של מערכת חד-גביש הראשונה בשוק System-on-Chip (SoC, קרא את הפרטים כאן) על תהליך FinFET של 10 ננומטר.

10 ננומטר כבר נמצאים בשוק

"הפתרון הסדרתי הראשון בשוק המבוסס על תהליך FinFET 10 ננומטר מאשר את ההובלה שלנו בפיתוח טכנולוגיות מתקדמות", אמר יונג שי-יון, סגן נשיא בכיר, ראש חטיבת ייצור מוליכים למחצה Samsung מכשירי חשמל. - אנו נמשיך לעשות כל מאמץ ליצור טכנולוגיות חדשניות להרחבה ולספק למשתמשים פתרונות מורכבים מובחנים".

מעבד חדש Samsung 10 ננומטר FinFET (10LPE) בעל מבנה תלת מימד מתקדם של טרנזיסטור. הטכנולוגיה והעיצוב התפעולי שלו שופרו בהשוואה לגרסת ה-3 ננומטר הקודמת, המספקת יעילות משטח ספציפית גבוהה יותר ב-14%, עלייה של 30% בביצועים והפחתה של 40% בצריכת החשמל. כדי להסיר מגבלות קנה מידה, הפתרון החדש משתמש בפתרון הטכני העדכני ביותר - מבנה משולש. הוא מספק ניתוב דו-כיווני כדי לשמור על גמישות רבה יותר בעיצוב ובניתוב בהשוואה לדגמים קודמים.

מוקדם יותר Samsung הציג את הדור הראשון של פתרונות המבוססים על התהליך הטכנולוגי של 10 ננומטר (10LPE). הדור השני (10LPP) שיפר ביצועים, תחילת הייצור ההמוני שלו מתוכננת למחצית השנייה של 2017.

בשיתוף פעולה הדוק עם שותפים Samsung מתכוון גם ליצור מערכת אקולוגית מוליכים למחצה פונקציונלית שתשלב כלי אימות זרימת התייחסות, IP וספריות. PDK וערכת פיתוח IP זמינים כעת להשיק את הארכיטקטורה.

מערכת ה-10nm SoC תשמש במכשירים דיגיטליים מתחילת השנה הבאה. צפוי שהם יהיו זמינים לצרכן ההמוני במהלך 2017. אתה יכול ללמוד עוד על החברה מקוון.