יצרני מעבדים אף פעם לא מפסיקים מחקר ופיתוח בסיסי ויישומי, אז עכשיו כשטייוואן סמיקונדקטור Manufacturing Co. (TSMC) קבעה ציר זמן לתהליך הייצור שלה N2 (2nm class) להיכנס לייצור רב נפחים (HVM) בשנת 2025, הגיע הזמן שהחברה תחשוב על התהליך הבא שלה. אם יש להאמין לשמועות חדשות, TSMC הולכת להכריז רשמית על טכנולוגיית ה-1,4nm שלה ביוני.
לפיכך, TSMC מתכננת להעביר את הצוות שפיתח את צומת ה-N3 שלו (מחלקה 3nm) לפיתוח תהליך הייצור בכיתה 1,4nm ביוני, על פי Business Korea. ככלל, יצרניות יציקה ויצרניות שבבים אף פעם לא מכריזות באופן רשמי על אבני דרך, ולכן לא סביר שנראה הודעה לעיתונות מ-TSMC האומרת שהפיתוח החל בשבב ה-1,4nm שלה. בינתיים, TSMC אמורה לקיים את סימפוזיון הטכנולוגיה שלה באמצע יוני, ושם החברה עשויה לחשוף כמה פרטים קצרים על הצומת שיחליף את תהליך הייצור של N2.
תהליך התכנון הטכנולוגי הסטנדרטי כולל את שלבי מציאת הדרכים, מחקר ופיתוח. חיפוש נתיבים כרוך בדברים כמו מחקר יסודי על חומרים ופיזיקה, ובמקרים רבים הוא נעשה בו זמנית על שבבים רבים. לעת עתה, מציאת הנתיבים של 2nm של TSMC כנראה הסתיימה, אז קבוצות רלוונטיות המתמחות בפיזיקה בסיסית וכימיה עובדות על יורש ל-2nm, שיכול להיקרא 1,4nm או 14 אנגסטרום.
ה-2nm של TSMC מבוסס על טרנזיסטורי אפקט שדה של שער שער (GAAFET) אך ישתמש בליטוגרפיה קיימת של אולטרה סגול קיצוני (EUV) עם צמצם מספרי של 0,33 (0,33 NA). בהתחשב בפרטי ה-2nm של TSMC המוכרים לנו היום, יתכן שיורשו ישמור על טרנזיסטורי GAA, אבל באמת נותר לראות אם הוא יעבור לכלי EUV עם צמצם מספרי של 0,55.
אתה יכול לעזור לאוקראינה להילחם נגד הפולשים הרוסים. הדרך הטובה ביותר לעשות זאת היא לתרום כספים לכוחות המזוינים של אוקראינה באמצעות הצלת חיים או דרך העמוד הרשמי NBU.
קרא גם:
השאירו תגובה