יצרנית מיקרו-מעגלים יפנית קיוקסיה זיכרון פלאש שפותח NAND עם כ-170 שכבות, מצטרפת למקבילתה האמריקאית Micron Technology ול-SK Hynix מדרום קוריאה בפיתוח טכנולוגיות מתקדמות.
זיכרון ה-NAND החדש פותח יחד עם שותף אמריקאי ווסטרן דיגיטל והוא יכול להקליט נתונים במהירות כפולה מהמוצר העליון הנוכחי של Kioxia, המורכב מ-112 שכבות.
ידועה בעבר בשם Toshiba Memory, Kioxia מתכננת לחשוף את ה-NAND החדש שלה בוועידת ה-International Solid State Conference, הפורום הגלובלי השנתי של תעשיית המוליכים למחצה, ומתכננת להתחיל בייצור המוני כבר בשנה הבאה.
היא מקווה לענות על הביקוש הקשור למרכזי נתונים וסמארטפונים, שכן התפשטות הטכנולוגיות האלחוטיות מהדור החמישי מובילה להגדלת הנפחים ומהירויות של העברת הנתונים. אבל התחרות בתחום הזה כבר מתעצמת: Micron ו-SK Hynix מכריזות על המוצרים החדשים שלהן.
Kioxia גם הצליחה להתאים יותר תאי זיכרון לשכבה עם ה-NAND החדש שלה, כלומר היא יכולה להפוך שבבים קטנים ב-30% מאחרים עם אותה כמות זיכרון. מעגלים קטנים יותר יאפשרו גמישות רבה יותר ביצירת סמארטפונים, שרתים ומוצרים אחרים.
כדי להגביר את הייצור של זיכרון פלאש, Kioxia ו-Western Digital מתכננים להתחיל בבניית מפעל של 9,45 מיליארד דולר ביוקאידו, יפן באביב הקרוב. הם שואפים להפעיל את הקווים הראשונים כבר ב-2022.
קרא גם: