בתדרוך האחרון למשקיעים Samsung הודיעה כי ייצור שבבי ה-3nm שלה יתחיל בשבועות הקרובים. אם זה יקרה, ההתקדמות שלו תהיה מהירה יותר מזו של TSMC. לפי TSMC, תהליך טכנולוגיית ה-3nm שלה עם ארכיטקטורת FinFET יוכנס לייצור המוני במחצית השנייה של השנה. אנליסטים בתעשייה מאמינים כי, אם כי Samsung טוען שתהליך ה-3 ננומטר מתקרב לייצור המוני, מבחינת צפיפות הטרנזיסטור והביצועים הוא דומה לתהליך ה-5 ננומטר של TSMC ולתהליך ה-4 ננומטר של אינטל. תיאורטית, שבב של 3 ננומטר Samsung הוא האחרון, אבל הוא עדיין מפגר אחרי TSMC.
Samsung טוען כי בהשוואה לתהליך הארכיטקטורה הנוכחי של 7nm FinFET, שבבי הטכנולוגיה החדשים של 3nm יכולים לפעול במתחים מתחת ל-0,75V. זה יקטין את צריכת האנרגיה הכוללת ב-50%. זה גם ישפר את הביצועים ב-30% ויקטין את גודל השבב ב-45%.
למרות טכנולוגיית 3 ננומטר Samsung יושוו לתהליך 4nm של TSMC, רוחב הפס ויעילות בקרת הדליפה של הראשון יהיו טובים יותר. סביר להניח שזה יספק שיפור ביצועים.
עם זאת, המשתנה הגדול ביותר שעדיין לא ידוע בשלב זה הוא עד כמה התפוקה של תהליך ה-3nm יכולה להיות טובה Samsung. טכנולוגיית 4 ננומטר Samsung בעל ביצועים גרועים מאוד וזה גורם ללקוחות מיינסטרים לבחור ב-TSMC. על פי דיווחי התעשייה, תפוקה Samsung על תהליך 3 ננומטר הוא רק כ 10%, אבל Samsung לא אישר זאת.
בתעשייה מאמינים כי יצרנים כמו Apple, AMD, NVIDIA, Qualcomm, Intel ו-MediaTek יהיו הלקוחות העיקריים של TSMC בשלב מוקדם של ייצור המוני של טכנולוגיית 3 ננומטר עם יישומים במחשוב מהיר, סמארטפונים ותחומים נוספים. TSMC אומרת שהיא תהפוך למובילה בטכנולוגיית PPA (ביצועים, צריכת חשמל ושטח) וטרנזיסטור לאחר ייצור המוני של תהליך 3nm במחצית השנייה של השנה.
בנוסף, TSMC החלה גם בתהליך מתקדם יותר של 2nm. ייצור ניסוי צפוי להתחיל בשנת 2024, כאשר ייצור המוני מתוכנן ל-2025. אופטימי לומר שתהליך ה-2nm יהפוך לטכנולוגיה המובילה בתעשייה ולטכנולוגיה המתאימה ביותר לתמוך במספר ההולך וגדל של לקוחות.
אתה יכול לעזור לאוקראינה להילחם נגד הפולשים הרוסים. הדרך הטובה ביותר לעשות זאת היא לתרום כספים לכוחות המזוינים של אוקראינה באמצעות הצלת חיים או דרך העמוד הרשמי NBU.
קרא גם: