 для обчислень в оперативній пам'яті.){kind=link}
חֶברָה Samsung הודיעה כי היא הייתה הראשונה בעולם שהדגימה טכנולוגיית MRAM (זיכרון גישה אקראית magnetoresistive) עבור מחשוב בזיכרון. המאמר של החברה, שכותרתו "התקנים חוצי-מערכים מגנטוריסטיים עבור מחשוב בזיכרון", פורסם בכתב העת Nature.
הנתונים מאוחסנים בדרך כלל ב-DRAM המהיר של המעבד. עם זאת, MRAM משנה את המצב ומשלב אחסון נתונים וחישוב, ומאפשר לשניהם לקרות באותו שבב. תיאורטית, פעולות במקרה זה מבוצעות הרבה יותר מהר, שכן אין צורך בהעברת נתונים מזיכרון המעבד ולהיפך. בנוסף, מושג חיסכון משמעותי בחשמל, שכן עיבוד הנתונים מתבצע בזיכרון בצורה מאוד מקבילה.
הדגמה זו היא פריצת דרך מכיוון שבעוד שפתרונות מחשוב בזיכרון אחרים כמו PRAM ו-RRAM כבר הוכחו, MRAM עובד היה די קשה להשגה, בעיקר בשל ההתנגדות הנמוכה שלו. זה גם היה בלתי אפשרי לנצל את יתרון יעילות ההספק של MRAM בארכיטקטורת מחשוב סטנדרטית בזיכרון.
חֶברָה Samsung איפשר את MRAM עם שבב מערך MRAM קנייני המשתמש ב- Resistance Sum במקום ב- Current-Sum הסטנדרטי כדי לפתור את בעיית ההתנגדות.
הפתרון נבדק באמצעות יישומי בינה מלאכותית (AI) והראה דיוק של 98% בסיווג ספרות בכתב יד ודיוק של 93% בזיהוי פנים בתמונות. Samsung טוען שניתן להשתמש בטכנולוגיית MRAM לעיבוד AI וליצירת שבבי AI בעלי ביצועים גבוהים.
ד"ר Seunchul Jung, המחבר הראשון של המאמר, אמר: "חישוב בזיכרון דומה למוח במובן זה שבמוח, החישוב מתרחש גם ברשתות זיכרון ביולוגיות, או סינפסות - הנקודות שבהן נוירונים נוגעים זה בזה. למעשה, למרות שלחישוב המבוצע על ידי רשת ה-MRAM שלנו יש מטרה שונה מהחישוב שמבצע המוח לעת עתה, רשת זיכרון מצב מוצק כזו עשויה לשמש בעתיד כפלטפורמה להדמיית המוח על ידי הדמיית התקשורת של סינפסות מוח."
קרא גם: