TSMC הוא אחד השחקנים הגדולים בייצור שבבים. תהליך הייצור של היצרן הטיוואני הוא מהמתקדמים בעולם. על פי נתונים זמינים, TSMC החלה בייצור ניסוי של התהליך הטכני של 3 ננומטר. עוד נמסר כי ייצור המוני של שבב זה יתחיל ברבעון הרביעי של השנה הבאה.
במהלך שיחת רווחים רבעונית לאחרונה, אמר מנכ"ל TSMC, Wei Zhejia, כי ייצור מבחן של תהליך ה-3nm יתחיל ב-2021 וייצור המוני במחצית השנייה של 2022.
אם המידע שנחשף על ידי מומחי רשתות בתעשייה נכון, Wei Zhejia עשוי לחשוף עוד כמה פרטים על השבב הזה בשיחת ועידה לאנליסטים פיננסיים בינואר הבא. ברבעון השני של דוח הרווחים וההפסד שפורסם ביולי השנה, Wei Zhejia אמר כי ברבעון השלישי, תהליך ה-4nm נמצא בייצור ניסיון.
TSMC ציינה באתר הרשמי שלה שתהליך ה-3 ננומטר הוא כל הטווח של צמתי התהליך לאחר ה-5 ננומטר. עבור מיקרו-מעגלים של תהליך טכנולוגי של 3 ננומטר, הצפיפות התיאורטית של טרנזיסטורים תגדל ב-70% בהשוואה ל-5 ננומטר. בנוסף, מהירות הפעולה תגדל ב-15%, ויעילות האנרגיה - ב-30%.
Samsung - המתחרה העיקרית של TSMC בתחום ייצור השבבים. החברה הדרום קוריאנית הציגה את הצמתים 3GAE (3nm Gate-All-Around Early) ו-3GAP (3nm Gate-All-Around Plus) לפני כמה שנים. תהליכים אלו מבטיחים חיסכון משמעותי באנרגיה והגברת הפרודוקטיביות הכוללת. בהצגת טכנולוגיה זו, החברה טוענת שתהליך ה-3 ננומטר יספק עלייה של 35% בביצועים. זה גם יספק הפחתה של 50% בצריכת האנרגיה בהשוואה לתהליך 7LPP.
על פי הדיווחים האחרונים, Samsung יתחיל בייצור ניסוי של תהליך 3 ננומטר שלה לא לפני 2022. החברה גם מתכננת לשחרר שבבים של 2 ננומטר, אך לא לפני 2025. דחיית כניסתו של התהליך הטכנולוגי החדש קשורה לעובדה שיצרני המעגלים ניצבים בפני משימה חשובה יותר - להתמודד עם המחסור שלהם. סדר העדיפויות הוא לספק את הביקוש למעבדים, ולא למהר עם הכנסת טכנולוגיות חדשות.
קרא גם: